SK하이닉스 1c DRAM 공정, 9배 증산 계획의 핵심 정리

SK하이닉스의 1c DRAM 월 생산량은 현재 약 2만 장입니다. 2026년 말 목표는 19만 장. 9배 증산입니다.

같은 회사가 HBM4에는 1c가 아닌 한 세대 전 공정인 1b를 고집하고 있습니다. 가장 최신 공정이 있는데, 가장 비싼 제품에는 안 쓰겠다는 겁니다. 반대로 삼성전자는 HBM4에 1c를 바로 넣었습니다.

같은 10나노급인데 왜 전략이 갈렸는지, 1a·1b·1c가 구체적으로 뭐가 다른지, 그리고 이 공정 전환이 투자자와 업계에 어떤 의미인지 3분이면 파악됩니다.

1. DRAM 공정 세대, 1a·1b·1c란

DRAM 공정은 회로 선폭이 좁아질수록 세대가 올라갑니다. 1a → 1b → 1c → 1d 순서입니다.

모두 '10나노급'이라는 큰 범주 안에 있지만, 세부적으로는 회로 선폭·설계·적용 장비가 다릅니다. 반도체 업계 분석에 따르면 각 세대의 실제 회로 선폭은 다음과 같습니다.

1a (4세대 10나노급): 약 14~15nm 수준
1b (5세대 10나노급): 약 12~13nm 수준
1c (6세대 10나노급): 약 11nm 수준
1d (7세대 10나노급): 개발 중, 10nm대 마지막 노드로 예상

세대가 올라갈 때마다 같은 면적의 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있고, 전력 효율과 속도가 개선됩니다. 다만 공정이 미세해질수록 제조 난도가 올라가고, EUV(극자외선) 노광 장비의 의존도가 높아집니다.

💡 쉽게 말하면, 같은 크기의 땅(웨이퍼)에 집(칩)을 더 많이, 더 잘 짓는 기술입니다. 세대가 올라갈수록 집을 더 촘촘하게 지을 수 있어 원가는 떨어지고 성능은 올라갑니다.

2. SK하이닉스 공정 전환 현황과 팹별 배치

SK하이닉스는 2026년을 기점으로 1c 공정 전환을 대폭 가속하고 있습니다. 현재 주력은 1b이지만, 범용 DRAM을 중심으로 1c 비중을 빠르게 늘려가는 구조입니다.

팹별 공정 배치 현황

[이천 M14]

원래 낸드와 DRAM 혼용 라인
최근 1c 공정 전환 투자가 집중되면서 범용 DRAM 핵심 생산 기지로 전환 중
M14에서 월 약 13만 장 규모의 1c 캐파 추가 확보 계획

[이천 M16]

기존 1a DRAM 생산 라인 → 2026년 초까지 1c로 전환 (월 약 11만 장)
1b 라인 일부도 1c로 전환 예정

[청주 M15X]

디자인 캐파 기준 월 9만 장 규모
6만 장은 HBM3E·HBM4용 1b DRAM 유지
나머지 3만 장은 1c로 배정

[중국 우시 공장]

전체 DRAM 생산량의 약 30~40% 담당
미국의 대중 장비 수출 통제로 선단 공정 도입 제한
2026년 1월 기준 1a(4세대) 전환 완료, DDR5·LPDDR5 양산 가능
1b 이상 전환은 현실적으로 어려운 상황

📌 SK하이닉스는 2026년 말까지 국내 일반 DRAM 캐파의 절반 이상을 1c로 전환하겠다고 공식 발표했습니다. 월 2만 장 → 19만 장으로 약 9배 증산이 목표입니다.

3. 1b vs 1c, 핵심 차이 4가지

같은 10나노급이라도 1b와 1c는 설계와 제조 방식에서 분명한 차이가 있습니다.

차이 1. EUV 노광 적용 범위

1b 공정은 EUV 레이어가 4~5개 수준입니다. 1c에서는 이보다 많은 EUV 레이어를 적용합니다. EUV 단계가 늘어날수록 더 미세한 패턴을 구현할 수 있지만, 그만큼 장비 투자와 공정 시간이 늘어납니다.

SK하이닉스는 1c 이후 세대를 위해 ASML의 하이-NA(High NA) EUV 시스템 도입도 검토 중입니다. 하이-NA는 기존 대비 해상도를 1.7배 높여 단층 노광으로 미세 패턴을 형성할 수 있는 차세대 장비입니다.

차이 2. 하이케이 메탈게이트 확대

1b까지는 하이케이 메탈게이트 기술이 그래픽 DRAM, DDR5 등 일부 제품에만 적용됐습니다. 1c부터는 애플리케이션에 관계없이 전 제품에 확대 적용됩니다. 이 기술은 DRAM 속도 개선의 핵심 요소입니다.

차이 3. 원가 경쟁력

1c는 다이 사이즈(칩 면적)가 1b보다 작아져 같은 웨이퍼에서 더 많은 칩을 생산할 수 있습니다. 업계에서는 SK하이닉스의 범용 DRAM 영업이익률이 1c 전환으로 약 70% 수준까지 올라갈 것으로 전망하고 있습니다.

차이 4. 전력 효율·속도

1c 공정은 1b 대비 전력 효율이 약 20% 개선되고, 데이터 전송 속도도 향상됩니다. 이는 HBM뿐 아니라 DDR5, LPDDR5X, GDDR7 등 전 제품군의 스펙 향상으로 이어집니다.

4. SK하이닉스와 삼성, 왜 전략이 갈렸나

가장 흥미로운 부분입니다. 같은 1c 공정을 두고 양사의 HBM4 전략이 정반대입니다.

SK하이닉스: HBM4에 1b 유지, 범용에 1c 집중

SK하이닉스는 HBM4에 검증된 1b 공정을 그대로 적용합니다. 1c가 있는데도 한 세대 전 공정을 쓰는 이유는 수율과 양산 안정성 때문입니다.

HBM은 DRAM 칩을 12개, 16개씩 쌓는 제품입니다. 칩 하나의 불량이 전체 스택을 망칩니다. 신규 공정의 초기 수율 불안정을 감수하기에는 리스크가 너무 큽니다. SK하이닉스는 1b 기반으로 HBM4 수율 70% 이상을 확보한 것으로 알려졌습니다.

대신 DDR5, LPDDR5X, GDDR7 등 범용 DRAM에 1c를 적극 투입해 원가를 낮추고 마진을 극대화하는 전략입니다. HBM에는 2027년부터 1c를 본격 적용할 계획입니다.

삼성전자: HBM4에 1c 선제 도입

삼성전자는 정반대 길을 택했습니다. HBM4에 바로 1c 공정을 적용하고, 여기에 4나노 파운드리 공정까지 결합했습니다. 기존 HBM 업계에서는 검증된 공정만 쓰는 것이 관행이었기에 파격적인 승부수입니다.

결과적으로 삼성 HBM4는 동작 속도 11.7Gbps(JEDEC 표준 8Gbps 대비 46% 초과), 최대 13Gbps까지 구현에 성공하며 2026년 2월 세계 최초 양산 출하를 달성했습니다.

다만 업계에서는 삼성의 1c 기반 HBM4 수율이 약 60~65% 수준으로 추정하고 있어, SK하이닉스(1b 기반 70% 이상) 대비 양산 안정성에서는 아직 격차가 있다는 분석입니다.

한 줄 요약

SK하이닉스: 안정성 우선, "검증된 기술로 물량을 확보한다"
삼성전자: 성능 우선, "선단 기술로 격차를 역전한다"

⚠️ 어느 전략이 맞다고 단정할 수 없습니다. 2026년 하반기 실제 HBM4 대량 출하 시점에서 수율·물량·고객 반응이 나와야 비로소 판단할 수 있습니다.

5. 2026년 공정 전환 타임라인

SK하이닉스의 DRAM 공정 전환 일정을 시간순으로 정리합니다.

2026년 상반기: 1c 기반 LPDDR5X, GDDR7 본격 램프업 및 대량 출하 시작
2026년 상반기: M16의 1a 라인 → 1c 전환 완료 (월 11만 장)
2026년 중: M14 1c 캐파 추가 확보 (월 13만 장)
2026년 말: 국내 일반 DRAM 캐파 절반 이상 1c 전환 (월 19만 장 목표)
2027년~: HBM에 1c 공정 본격 적용 예상 (HBM4E 세대)
2027~2028년: 청주 P&T7 패키징 공장 완공, HBM 생산 라인 확장
향후 1.5~2년 내: 1d(7세대 10나노급) 공정 등장 예상

💡 SK하이닉스는 신규 팹 증설보다 기존 라인의 공정 전환(Line Rebalancing)에 우선순위를 두고 있습니다. 새 팹은 2027~2028년에나 생산을 시작할 수 있어, 그때까지는 공정 전환만으로 생산량을 늘려야 하는 상황입니다.

6. 공정 전환이 투자자에게 의미하는 것

SK하이닉스의 1c 공정 대전환은 단순한 기술 업그레이드가 아니라, 수익 구조 자체를 바꾸는 전략입니다.

의미 1. 범용 DRAM 마진 폭발

HBM에 캐파가 집중되면서 범용 DRAM 공급이 부족해졌고, 가격이 급등했습니다. 여기에 1c 전환으로 원가까지 낮아지면 범용 DRAM의 영업이익률이 60~70% 수준까지 올라갈 수 있습니다. 증권가에서는 2026년 SK하이닉스 영업이익이 70조 원대에 이를 것이라는 전망이 나오고 있으며, 이 중 범용 DRAM 비중이 이전보다 크게 확대될 것으로 보입니다.

의미 2. DRAM 공급 부족 장기화

공정 전환 기간에는 기존 라인의 생산이 일시적으로 줄어듭니다. 신규 팹도 2027~2028년에야 가동됩니다. SK하이닉스 스스로 DRAM 재고가 약 4주치에 불과하다고 밝힌 상황에서, 공급 부족이 2027년 말까지 이어질 수 있다는 전망이 나옵니다.

의미 3. 장비·소재주 수혜

1c 전환에는 EUV 노광기(ASML), 식각 장비(램리서치, TEL), 코터-디벨로퍼, 포토레지스트 등 핵심 장비·소재의 수요가 늘어납니다. 국내 장비·소재 업체들의 수주 확대가 기대되는 구간입니다.

의미 4. 중국 우시 공장의 한계

우시 공장은 미국 수출 통제로 1a까지만 전환 가능합니다. 1b 이상은 사실상 불가능해 국내 팹과의 기술 격차가 벌어지고 있습니다. 이는 SK하이닉스가 국내 투자를 더욱 확대하는 요인이 되고 있습니다.

마무리

지금까지 SK하이닉스의 DRAM 공정 전환 전략을 정리했습니다.

SK하이닉스는 2026년 말까지 1c DRAM 월 생산량을 9배(2만 → 19만 장) 늘리며, HBM에는 1b를 유지하고 범용에 1c를 집중 투입하는 투트랙 전략
삼성전자가 HBM4에 1c를 바로 넣어 성능 역전을 노리는 반면, SK하이닉스는 수율과 양산 안정성 우선의 보수적 전략으로 시장 1위 수성
DRAM 공급 부족은 2027년 말까지 이어질 전망이며, 공정 전환기의 장비·소재 수요 확대도 주목할 포인트

SK하이닉스와 삼성전자의 공정 전략이 완전히 갈린 만큼, 2026년 하반기 HBM4 대량 출하 시점의 수율과 물량 비교가 양사 주가의 핵심 변수가 될 전망입니다.